University of California Berkeley;
机译:掩模粗糙度引起的印刷线边缘粗糙度在最近和将来的极紫外光刻测试中的相关性
机译:掩模粗糙度引起的印刷线边缘粗糙度在最近和将来的极紫外光刻测试中的相关性
机译:极紫外光刻中掩模引起的线边缘粗糙度测量的相关方法
机译:图像平面线边缘粗糙度要求对极端紫外线掩模规格的影响
机译:下一代光刻的线边缘粗糙度研究:碳纳米管在数百纳米图案测量中的应用。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:极端紫外线光刻中的系统级线边粗糙度限制