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降低线边缘粗糙度的半导体结构的制造方法

摘要

一种降低线边缘粗糙度的半导体结构的制造方法,包括:提供组件层,其上具有图案化的阻剂层;施行电浆蚀刻程序,以形成图案化的组件层,其中该电浆蚀刻程序是在相对高操作频率的连续开启状态电压下,及具有脉波调整的相对低操作频率的开启-关闭状态电压下操作的。

著录项

  • 公开/公告号CN103021819A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南亚科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201110359127.9

  • 发明设计人 吴常明;陈逸男;刘献文;

    申请日2011-11-14

  • 分类号H01L21/027;

  • 代理机构北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人余朦

  • 地址 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号

  • 入库时间 2024-02-19 19:06:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-10-28

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/027 申请公布日:20130403 申请日:20111114

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20111114

    实质审查的生效

  • 2013-04-03

    公开

    公开

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