公开/公告号CN103021819A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-04-03
原文格式PDF
申请/专利权人 南亚科技股份有限公司;
申请/专利号CN201110359127.9
申请日2011-11-14
分类号H01L21/027;
代理机构北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司;
代理人余朦
地址 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号
入库时间 2024-02-19 19:06:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-10-28
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/027 申请公布日:20130403 申请日:20111114
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-05-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20111114
实质审查的生效
2013-04-03
公开
公开
机译: 能够防止图案的摆动,线边缘粗糙度和线宽度粗糙度的半导体装置的制造方法
机译: 用于制造具有线粗糙度的抗蚀剂图案的光刻方法涉及将抗蚀剂非结构化地暴露于例如光的光下。汞蒸气灯的泛光灯并对其进行加热,以降低其线条粗糙度
机译: 减少线边缘粗糙度的半导体结构的形成方法