机译:接触电阻随机存取存储单元中单元性能与其初始状态之间相关性的统计分析
Natl Tsing Hua Univ, Inst Elect Engn, Microelect Lab, Hsinchu 300, Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ, Inst Elect Engn, Microelect Lab, Hsinchu 300, Taiwan;
Taiwan Semicond Mfg Co, Process Integrat Div, Hsinchu 300, Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ, Inst Elect Engn, Microelect Lab, Hsinchu 300, Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ, Inst Elect Engn, Microelect Lab, Hsinchu 300, Taiwan;
机译:具有双层TiO2 / SiOX绝缘堆栈的电阻式随机存取存储单元,用于同时进行丝状和分布式电阻切换
机译:底部电极的粗糙度对铂/氮化镍/镍1×1交叉式阵列电阻式随机存取存储单元的电阻转换特性的影响
机译:批量CMOS静态随机存取存储单元中四个写入稳定性指标的比较和统计分析
机译:回填接触电阻随机存取存储单元的循环耐力的随机丝形成
机译:静态随机存取存储器中多个细胞不适的模式识别:实验测试结果与单事件不适机制的相关性。
机译:电阻性随机存取存储器(RRAM):材料交换机制性能多层单元(mlc)存储建模和应用概述
机译:电阻随机存取存储器单元的能量行为
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。