随机存取存储单元/四晶体管随机存取存储单元及存储装置

摘要

本发明提供一种四晶体管随机存取存储单元，包括一第一、第二、第三及第四晶体管。第一晶体管具有一第一导电性，其栅极耦接至一字元线而源极耦接至一位元线。第二晶体管具有第一导电性，其栅极耦接至第一晶体管的漏极而源极耦接接收一第一电压。第三晶体管具有一第二导电性，其栅极耦接至第二晶体管的漏极，源极耦接接收一第二电压，漏极则耦接至第一晶体管的漏极。第四晶体管具有第二导电性，其栅极耦接至第一晶体管的漏极，源极耦接接收第二电压，漏极则耦接至第二晶体管的漏极。