机译:短通道全耗尽圆柱/环绕栅MOSFET的电势分布和阈值电压的解析2D建模
Departement de Genie Electrique, Faculte de sciences et techniques, BP 523, Beni Mellal, Morocco;
cylindrical/surrounding gate (CSG) MOSFET; evanescent mode analysis; threshold voltage; short channel effects;
机译:完全耗尽的短沟道圆柱/环绕栅MOSFET的阈值电压和I-V特性的分析模型
机译:短沟道薄膜全耗尽圆柱/环绕栅(CGT / SGT)MOSFET的精确二维分析模型
机译:适用于圆柱形,完全耗尽的环绕栅(SG)MOSFET的紧凑型分析二维阈值电压模型
机译:圆柱形,全耗尽,环绕栅(SG)MOSFET的紧凑型分析二维阈值电压模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:电压门控Ca通道抑制的计算模型:确定对子宫和心脏动作电位的不同影响
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响