机译:N阱接触面积对单事件瞬态脉冲宽度的影响
Vanderbilt University, Nashville, TN, USA;
Digital design; Parasitic BJT; single event; single-event transient; single-event upset;
机译:使用重离子,质子和脉冲激光在DC / DC脉宽调制器上进行单事件瞬态测量
机译:多晶体管电荷收集对单事件瞬态脉冲宽度的影响
机译:用于测量引起软错误的单事件瞬态脉冲宽度的测试电路
机译:脉冲猝灭的两侧对电路级单事件瞬态脉冲宽度的影响
机译:先进CMOS技术中重离子,中子和α粒子诱导的单事件瞬态脉冲宽度的表征。
机译:脉冲宽度不影响多发性硬化症患者通过神经肌肉电刺激获得的收益:双盲随机试验
机译:源电荷收集和寄生双极效应对65nm单事件瞬态脉冲宽度的影响