首页> 外文会议>IEEE International Conference on ASIC >Two sides of pulse quenching effect on the single-event transient pulse width at circuit-level
【24h】

Two sides of pulse quenching effect on the single-event transient pulse width at circuit-level

机译:脉冲猝灭的两侧对电路级单事件瞬态脉冲宽度的影响

获取原文

摘要

Pulse quenching effect is evaluated at circuit-level. Simulation results present that pulse quenching effect is not always beneficial to mitigate single-event transient (SET) pulse width. It also could increase the SET pulse width.
机译:在电路级评估脉冲猝灭效果。仿真结果表明,脉冲猝灭效应并不总是有利于减轻单事件瞬态(SET)脉冲宽度。它还可能会增加SET脉冲宽度。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号