阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响

摘要

使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响.结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反.同时,还分析了不同入射粒子LET值以及晶体管间距条件对该现象的作用趋势.