机译:暴露于梯度剂量后65nm pMOS晶体管的漏极电流崩溃
State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Padova, Italy;
1 Grad; 65 nm pMOS transistors; Total ionizing dose effects;
机译:以归一化漏电流为准参数的商用PMOS晶体管的大剂量辐射剂量计
机译:商用PMOS晶体管使用归一化漏极电流作为剂量参数的大剂量辐射剂量计
机译:在升高的温度下采用65nm体CMOS技术在nMOS和pMOS晶体管中进行单事件瞬态测量
机译:暴露于渐变剂后65nm CMOS I / O晶体管中的辐射漏洞
机译:MOS晶体管的深亚微米漏极电流和电荷模型。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe