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机译:以氮化锗为电荷陷阱层的闪存的电气特性
Department of Engineering and System Science, National Tsing-Hua University, Hsinchu, Taiwan;
Charge carrier processes; Films; Frequency measurement; Hysteresis; Nonvolatile memory; Performance evaluation; Silicon; Charge-trapping layer; Geformula formulatype="inline"tex Notation="TeX"$_{3}$/tex/formulaNformula formulatype="inline"tex Notation="TeX"$_{4}$/tex /formula; NHformula formulatype="inline"tex Notation="TeX"$_{3}$/tex/formula nitridation; endurance; germanium film; program/erase transient characteristics; retention; silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory;
机译:具有多级单元操作的高可靠性金属氧化物-氮化物-氧化物-半导体类型的NAND闪存的富硅氮化物电荷陷阱层工程
机译:使用堆叠的HfO_2 / Ta_2O_5电荷捕获层提高了闪存的速度和数据保留特性
机译:电学特性对按比例缩放的氮化钽-氧化铝-氮化硅-氧化硅-硅闪存器件中凹陷区深度的依赖性
机译:具有SiGe掩埋沟道和堆叠电荷捕获层的电荷捕获闪存器件的改进的操作特性
机译:化学计量和氢含量对硅和二氧化硅上氮化硅和氧氮化物层的物理和电学性质的影响的研究
机译:通过晶体ZrTiO4电荷陷阱层实现低压操作的闪存
机译:氮化GdTiO作为闪存应用的电荷俘获层
机译:锗中锗氮化物介电层的界面特性