机译:通过重复应力/松弛实验重新评估负偏压温度不稳的机制
School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore;
Bias-temperature instability; charge-pumping (CP) current measurement; hole trap; interface trap; pulsed current–voltage measurement; reaction–diffusion (R–D) model;
机译:使用沉积有不同氧分压的In-Ga-O沟道层的氧化物半导体薄膜晶体管的负偏压光应力不稳定性机理
机译:负偏压温度不稳定性的物理机制
机译:负偏置温度应力下超薄氧氮化物栅极p-MOSFET的正栅极偏置下抑制的界面态弛豫的观察
机译:负偏压温度不稳定性-最近的动态应力实验提供的见解
机译:高碳弹簧钢在低温下在弯曲,张紧和扭转应力下的应力松弛动力学。
机译:专题讨论会:重复DNA序列的不稳定性:复制在多种机制中的作用
机译:双向V T偏移后的机制在碳掺杂全嵌入的AlGaN / GaN Mis-Hemts中的负偏置温度不稳定应力