用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性

摘要

本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性(NBTI,negative bias temperature instability)退化的方法--直接隧道栅电流表征法(DTGCM,DT Gate Current Method).用这种方法可以得到NBTI应力诱生在超薄栅氧化层中的缺陷密度(包括氧化层体陷阱密度和界面态密度),并得到PMOSFET器件阈值电压的漂移(△Vth)信息.这种方法可以有效避免NBTI恢复效应的影响.