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公开/公告号CN108037438B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院新疆理化技术研究所;
申请/专利号CN201711329107.0
发明设计人 崔江维;郑齐文;魏莹;孙静;余学峰;郭旗;陆妩;何承发;任迪远;
申请日2017-12-13
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构65106 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙);
代理人张莉
地址 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
入库时间 2022-08-23 11:16:13
机译: 用于加速负偏压温度不稳定性(NBTI)和/或正偏压温度不稳定性(PBTI)恢复的功率午睡技术
机译: 加速负偏压温度不稳定性(NBTI)和/或正偏压温度不稳定性(PBTI)恢复的功率抑制技术
机译: 降低负偏压温度不稳定性
机译:HfMoN金属栅极和自对准氟离子注入对具有$ hbox {Gd} _ {2} hbox {O} _ {3} $栅极电介质的pMOSFET负偏压温度不稳定性的影响
机译:体偏置对具有SiON栅极电介质的pMOSFET中负偏置温度不稳定性的影响
机译:低应力电压引起的负偏置温度不稳定性对纳米级高k /金属栅pMOSFET的影响
机译:具有超薄等离子体氮化栅电介质的p + sup>栅pMOSFET的负偏压温度不稳定性(NBTI)
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:在pp上的构象II偏压温度和尿素具有相对的影响
机译:表征pmOsFET的负偏压温度不稳定性和寿命预测
机译:负偏压温度不稳定性(NBTI)实验