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Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts
Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts
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1.
Development of a physical model of UV induced bulk photoconduction in silicon dioxide and application to charging damage
机译:
紫外线诱导二氧化硅中大量光电导的物理模型的开发及其在电荷损伤中的应用
作者:
Joshi M.
;
McVittie J.P.
;
Saraswat K.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
2.
Utility of CHARM
®
-2 in diagnosing sources of plasma charging damage in high density etchers and in assisting hardware development
机译:
CHARM
® sup> -2的功能可用于诊断高密度蚀刻机中等离子体带电损坏的来源并协助硬件开发
作者:
Siu S.
;
Patrick R.
;
Vahedi V.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
3.
TDDB evaluation of plasma-enhanced Si
3
N
4
nitride capacitors in CMOS integration schemes
机译:
CMOS集成方案中等离子增强的Si
3 sub> N
4 sub>氮化物电容器的TDDB评估
作者:
Gajewski D.A.
;
Walls J.
;
Martin M.
;
Remmel T.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
4.
Thermal conductivity and softening of gate oxide breakdown
机译:
导热性和软化的栅氧化层击穿
作者:
Chin-Yuan Ko
;
Liao P.J.
;
Shih J.R.
;
Wang J.J.
;
Peng Y.K.
;
Yue J.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
5.
Gate oxide integrity issue caused by wall-related process drift in plasma etching
机译:
等离子体蚀刻中与壁相关的工艺漂移导致的栅极氧化物完整性问题
作者:
Songlin Xu
;
Lill T.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
6.
Evaluation procedure for fast and realistic assessment of plasma charging damage in thin oxides
机译:
快速,现实地评估薄氧化物中的等离子体充电损伤的评估程序
作者:
Van den Bosch G.
;
De Jaeger B.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
7.
Reduction of ultra-violet-radiation induced damage and its time-resolved measurement using pulse-time-modulated plasma
机译:
减少紫外线诱发的伤害及其使用脉冲时间调制等离子体的时间分辨测量
作者:
Okigawa M.
;
Ishikawa Y.
;
Kumagai S.
;
Samukawa S.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
8.
High-performance and damage-free neutral beam etching
机译:
高性能且无损伤的中性束蚀刻
作者:
Samukawa S.
;
Sakamoto K.
;
Ichiki K.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
9.
Wafer arcing phenomena and resolution through a capacitively coupled low gap plasma reactor
机译:
通过电容耦合低间隙等离子体反应器的晶圆电弧现象和分辨率
作者:
Fischer A.
;
Pirkle D.
;
Wu D.
;
Loewenhardt P.
;
Tietz J.
;
Marks J.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
10.
Process dependent antenna ratio rules for HSQ and FSG back-ends of (embedded flash) 0.18 μm CMOS technology
机译:
适用于(嵌入式闪存)0.18μmCMOS技术的HSQ和FSG后端的与工艺有关的天线比率规则
作者:
Scarpa A.
;
Diekema M.
;
van der Schaar C.
;
Valk H.
;
Harke A.
;
Kuper F.G.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
11.
Negative-bias-temperature-instability (NBTI) for p
+
-gate pMOSFET with ultra-thin plasma-nitrided gate dielectrics
机译:
具有超薄等离子体氮化栅电介质的p
+ sup>栅pMOSFET的负偏压温度不稳定性(NBTI)
作者:
Shyue-Seng Tan
;
Tupei Chen
;
Chow-Hoe Ang
;
Lek C.
;
Werthe Lin
;
Re Zhen Zheng
;
See A.
;
Lap Chan
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
12.
Process and doping species dependence of negative-bias-temperature instability for P-channel MOSFETs
机译:
P沟道MOSFET负偏置温度不稳定性的工艺和掺杂种类依赖性
作者:
Da-Yuan Lee
;
Horng-Chih Lin
;
Wan-Ju Chiang
;
Wen-Tai La
;
Nuang G.
;
Tiao-Yuan Huang
;
Tahui Wang
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
13.
Present status and future trend of low-k dielectrics/interconnect technology for ULSI
机译:
ULSI低介电常数/互连技术的现状和未来趋势
作者:
Kikkawa T.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
14.
Plasma process-induced wire-to-wire leakage current for low-k SiOC/Cu damascene structure
机译:
低k SiOC / Cu镶嵌结构的等离子体工艺引起的线对线泄漏电流
作者:
Nakamura N.
;
Higashi K.
;
Matsunaga N.
;
Miyajima H.
;
Sato S.
;
Shibata H.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
15.
Survey of semiconductor process-induced damage
机译:
半导体工艺引起的损坏调查
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
16.
ULSI circuit design trend, technology road map, and test structures for process-induced damage
机译:
ULSI电路设计趋势,技术路线图和过程导致的损坏的测试结构
作者:
Dao T.B.
;
Aum P.K.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
17.
On-wafer monitoring for conductivity of sidewall in SiO
2
contact holes
机译:
晶圆上SiO
2 sub>接触孔中侧壁导电性的监测
作者:
Shinmura T.
;
Soda S.
;
Hane K.
;
Samukawa S.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
18.
Influence of photoresist pattern on charging damage during high current ion implantation
机译:
大电流离子注入过程中光刻胶图案对充电损伤的影响
作者:
Dirnecker T.
;
Ruf A.
;
Frey L.
;
Beyer A.
;
Bauer A.J.
;
Henke D.
;
Ryssel H.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
19.
Plasma induced damage from via etching in pMOSFETs
机译:
pMOSFET中的过孔蚀刻导致等离子体引起的损坏
作者:
Cellere G.
;
Valentini M.G.
;
Baraldo A.
;
Paccagnella A.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
20.
Plasma charging damage characterization of 200mm and 300mm dielectric etch chambers using bias voltage diagnostic cathodes
机译:
使用偏压诊断阴极对200mm和300mm介电蚀刻室进行等离子充电损伤表征
作者:
Ma S.
;
Kutney M.
;
Kats S.
;
Kropewnicki T.
;
Lindley R.
;
Doan K.
;
Horioka K.
;
Lane D.
;
Shan H.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
21.
Plasma process induced radiation effects in CMOS technology
机译:
等离子工艺在CMOS技术中引起的辐射效应
作者:
Ma T.P.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
22.
Challenges in detecting and analyzing process-induced damage for 130nm CMOS technology and beyond Title only-no paper published pgs 31-36
机译:
在130nm CMOS技术及更高工艺中检测和分析过程引起的损坏方面的挑战仅标题,无论文发表,第31-36页
作者:
Aum P.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
23.
Characterization of plasma damage in plasma nitrided gate dielectrics for advanced CMOS dual gate oxide process
机译:
先进的CMOS双栅极氧化工艺中的等离子氮化栅介质中的等离子体损伤特征
作者:
Chen C.-C.
;
Yu M.-C.
;
Cheng J.-Y.
;
Wang M.-F.
;
Lee T.-L.
;
Chen S.-C.
;
Yu C.-H.
;
Liang M.-S.
;
Chen C.-H.
;
Yang C.-W.
;
Fang Y.-K.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
24.
Correlation between hot carrier stress, oxide breakdown and gate leakage current for monitoring plasma processing induced damage on gate oxide
机译:
热载流子应力,氧化物击穿和栅极泄漏电流之间的相关性,用于监测等离子体处理对栅极氧化物造成的损坏
作者:
Ackaert J.
;
Zhichun Wang
;
De Backer E.
;
Salm C.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
25.
Diagnostics of plasma process induced failure on analog device's mismatch characteristics
机译:
等离子工艺引起的故障对模拟设备失配特性的诊断
作者:
Shih J.R.
;
Huang A.
;
Chinn Y.H.
;
Chin C.C.
;
Yeng Peng
;
Yue J.T.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
26.
Plasma damage reduction for high density plasma CVD phosphosilicate glass process
机译:
高密度等离子CVD磷硅酸盐玻璃工艺的等离子损伤减少
作者:
Sunway Chen
;
Chu-Yun Fu
;
Syun-Ming Jang
;
Chen-Hua Yu
;
Mong-Song Liang
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
27.
Temperature effect on antenna protection strategy for plasma-process induced charging damage
机译:
温度对等离子工艺引起的充电损伤的天线保护策略的影响
作者:
Zhichun Wang
;
Scarpa A.
;
Smits S.
;
Salm C.
;
Kuper F.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
28.
NBTI analysis of antenna pMOSFET with thermally recovered plasma-induced damage
机译:
天线pMOSFET的NBTI分析具有热恢复等离子体诱导的损伤
作者:
Matsunaga N.
;
Yoshinari H.
;
Shibata H.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
29.
Development of the damage evaluation technology of a low-k film by surface photo voltage
机译:
基于表面光电压的低介电常数薄膜损伤评估技术的发展
作者:
Yunogami T.
;
Inukai K.
;
Matsumoto I.
;
Vu B.
;
Ikarashi M.
;
Kawamura K.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
30.
Investigation of electromigration properties and plasma charging damages for plasma treatment process in Cu interconnects
机译:
Cu互连件中等离子体处理过程的电迁移特性和等离子体电荷破坏的研究
作者:
Wang R.C.J.
;
Su D.S.
;
Yang C.T.
;
Chen D.H.
;
Doong Y.Y.
;
Shih J.R.
;
Lee S.Y.
;
Chiu C.C.
;
Peng Y.K.
;
Yue J.T.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
31.
The implications of technology scaling on plasma-induced damage
机译:
技术规模扩展对等离子体诱发的损伤的影响
作者:
Suehle J.
;
Giapis K.
;
Sery G.
;
Eriguchi K.
;
Hook T.
;
Cheung K.P.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
32.
Author index
机译:
作者索引
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
33.
Reliability perspective of high-k gate dielectrics - what is different from SiO
2
?
机译:
高k栅极电介质的可靠性观点-与SiO
2 sub>有何不同?
作者:
Toriumi A.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
34.
Characterization of microtrenching on 0.13μm NMOS and PMOS transistors using DAHC and edge FN stress
机译:
利用DAHC和边缘FN应力表征0.13μmNMOS和PMOS晶体管的微沟槽
作者:
Chua C.S.
;
Chor E.F.
;
Ang C.H.
;
Tan J.
;
Goh F.
;
Yu J.
;
Pradeep Y.
;
See A.
;
Chan L.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
35.
2002 7th International Symposium on Plasma- and Process-Induced Damage (IEEE Cat. No.02TH8582)
机译:
2002年第七届等离子和过程引起的损害国际研讨会(IEEE目录号02TH8582)
作者:
Hook T.
;
Eriguchi K.
;
Gabriel C.T.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
36.
DRAM and NVM product visions
机译:
DRAM和NVM产品愿景
作者:
Eggers H.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
37.
Gate oxide damage and charging characterization in a 0.13 μm, triple oxide (1.7/2.2/5.2nm) bulk technology
机译:
采用0.13μm三层氧化物(1.7 / 2.2 / 5.2nm)批量技术的栅极氧化物损坏和充电特性
作者:
Hook T.B.
;
Harmon D.
;
Wing Lai
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
38.
Investigation on dual gate oxide charging damage in 0.13μm copper damascene technology
机译:
0.13μm铜大马士革工艺中双栅氧化物带电损伤的研究
作者:
Teo W.Y.
;
Hou Y.T.
;
Li M.F.
;
Chen P.
;
Ko L.H.
;
Zeng X.
;
Jin Y.
;
Gn F.H.
;
Chan L.H.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
39.
Mechanism of charge induced plasma damage to EPROM cells during fabrication of integrated circuits
机译:
电荷在集成电路制造过程中引起等离子体对EPROM单元损坏的机理
作者:
Barlingay C.
;
Yach R.
;
Lukaszek W.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
40.
Plasma charging effect on MOS devices with gate dielectrics using high dielectric constant material
机译:
使用高介电常数材料的栅极电介质对MOS器件的等离子充电效应
作者:
Tzeng P.-J.
;
Yi-Yuan Chang
;
Kuei-Shu Chang-Liao
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
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1995年
41.
P
2
ID in a modern CMOS technology
机译:
现代CMOS技术中的P
2 sup> ID
作者:
Cellere G.
;
Valentini M.G.
;
Caminati M.
;
Paccagnella A.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
42.
Photoluminescence analyses of plasma-treated Si100-surfaces
机译:
等离子体处理的Si 100表面的光致发光分析
作者:
Reiche M.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
|
1995年
43.
Electron shading effects during oxide etching in uniform and non-uniform plasmas
机译:
均匀和不均匀等离子体中的氧化物蚀刻过程中的电子遮蔽效应
作者:
Lukaszek W.
;
Shields J.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
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1995年
44.
Impact of F species on plasma charge damage in a RF asher
机译:
F物质对RF灰浆中等离子体电荷破坏的影响
作者:
Gu S.Q.
;
Fujimoto R.
;
McGrath P.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
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1995年
45.
Plasma induced damage monitoring for HDP processes
机译:
HDP工艺的等离子体诱发损伤监测
作者:
Beyer A.
;
Hausmann A.
;
Junack M.
;
Radecker J.
;
Ruf A.
;
Dirnecker T.
会议名称:
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》
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1995年
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