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陈海峰; 过立新; 杜慧敏;
西安邮电学院电子工程学院;
产生电流; 衬底偏压; 平带电压; p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管;
机译:直流磁控共溅射三元氮化钛铝涂层的组织与性能研究-第三部分-衬底偏压和温度的影响。
机译:Ge(100)衬底上生长的Hfo_2 / dy_2o_3栅堆叠中的电压依赖性弛豫,电荷陷阱和应力引起的漏电流效应的研究
机译:氮注入衬底上生长的栅氧化物中氮峰值位置及其对硼渗透的影响的研究
机译:在正偏压温度应力下,具有HfO 2 inf> / TiN栅叠层的nFET中应力引起的泄漏电流和缺陷产生
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:聚对二甲苯C衬底上的柔性底栅石墨烯晶体管和电流退火的影响
机译:高增益In2se3中的栅控光电流产生机制 光电晶体管
机译:偏压对辐照mOs器件中热刺激电流(TsC)的影响。
机译:利用衬底电极偏压在单个衬底上集成绝缘栅场效应晶体管电路
机译:产生栅控源,该栅控源借助分隔的粒子发射电子以确定栅孔
机译:场效应管金属半导体FET-具有两个栅电极,两个栅电极均控制砷化镓衬底中的源极-漏极电流
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