机译:基于改进的线性化模型的GaAs SCFL锁存比较器的表征和设计
HEMT integrated circuits; III-V semiconductors; comparators (circuits); equivalent circuits; field effect logic circuits; flip-flops; gallium arsenide; logic CAD; sequential circuits; 0.5 micron; 10.0 mV; 11.5 mV; 2 GHz; 4 GHz; E/D HEMT technology; GaAs; SCFL latched co;
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