机译:接触蚀刻停止层的几何效应对90nm SOI nMOSFET器件性能和可靠性的影响
MOSFET; carrier mobility; leakage currents; nanoelectronics; semiconductor device reliability; silicon-on-insulator; 1100 Aring; 700 Aring; 90 nm; Lorentzian noise spectrum; SOI MOSFET; compressive stress; contact etch stop layer; device performance; device reliabilit;
机译:缺口栅结构对接触蚀刻停止层(CESL)应力90nm nMOSFET的影响
机译:高拉伸应力CESL和几何设计对90 nm SOI nMOSFET器件性能和可靠性的影响
机译:迁移率增强技术对90nm以下SOI nMOSFET器件性能和可靠性的影响
机译:在脉冲 - IV测量下,具有触点蚀刻停止层(CESL)的紧张HFO {Sub} 2 NMOSFET的性能增强
机译:使用2D半导体层间改进MOS2晶体管中的触点和装置性能
机译:通过刻蚀停止层纳米层的清洁界面工艺增强a-IGZO TFT器件的性能
机译:具有镍蚀刻石墨烯的低接触电阻石墨烯器件 往来