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机译:Fe掺杂的GaN缓冲剂对Si衬底上的AlGaN / GaN HEMT中的断态击穿特性的影响
III-V semiconductors; aluminium compounds; gallium compounds; high electron mobility transistors; iron; semiconductor doping; semiconductor growth; silicon; wide band gap semiconductors; AlGaN-GaN; GaN:Fe; HEMT; OFF-state breakdown characteristics; buffer layer; high;
机译:Fe掺杂的GaN缓冲剂对Si衬底上的AlGaN / GaN HEMT中的断态击穿特性的影响
机译:线错位形成的陷阱对AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中GaN缓冲层中态关闭特性的影响
机译:C掺杂GaN缓冲液中表面形态和C浓度对自支撑GaN衬底上AlGaN / GaN HEMT击穿电压的影响
机译:AlGaN / GaN HEMT中Fe掺杂的GaN缓冲对SiC衬底的影响
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:用于开关电力应用的AlGaN / GaN MIS-HEMT的断开状态击穿特性