机译:AlGaN / GaN HEMT中访问寄生电阻的全貌提取:对器件线性度和沟道电子速度的影响
aluminium compounds; electric resistance; equivalent circuits; gallium compounds; high electron mobility transistors; semiconductor device models; AlGaN-GaN; ColdFET biasing conditions; HEMT; at-bias extraction; channel electron velocity; device linearity; drain res;
机译:AlGaN / GaN HEMT中访问寄生电阻的全貌提取:对器件线性度和沟道电子速度的影响
机译:通过基于TCAD的器件仿真和晶圆上测量来表征AlN / GaN / AlGaN HEMT的寄生电阻
机译:AlGaN / GaN HEMT器件上的SThM温度映射和带有偏置的非线性热阻演化
机译:在AlGaN / GaN HFET中偏置寄生源和漏极电阻的偏见:偏置依赖性和对设备建模和物理的影响
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。