退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
鲁明亮; 陶永春;
南京高等职业技术学校轨道交通学院;
南京师范大学物理科学与技术学院;
纳米CMOS器件; 源/漏寄生电阻; 提取方法;
机译:使用选择性无电极CoWP或CoB工艺减少高性能UTSOI CMOS器件中源/漏级数和接触电阻的新颖方法
机译:一种新颖的单器件直流方法,用于提取新鲜的和热载流子退化的漏极工程MOSFET的有效迁移率和源极-漏极电阻
机译:一种从MOS晶体管上的测量中提取寄生源极和漏极电阻的不对称性的简单方法
机译:具有通过无掺杂工艺形成的金属源极/漏极结构的应变Ge纳米线pMOSFET中的高迁移率和低寄生电阻特性
机译:用于纳米级CMOS集成电路的硅,硅锗和硅碳源极/漏极结的低电阻率接触方法。
机译:一种电阻率法在恒定压缩恒定速率下进行压实黄土的水力力学和结构性能
机译:栅极位置对alGaN / alN / GaN异质结构场效应晶体管中源极 - 漏极电阻的影响
机译:在提取GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)的寄生电感时去除残余栅源电容的数值技术
机译:改善垂直设备中源/漏寄生的方法
机译:一种CMOS器件,其包括具有后继漏极和源极区的NMOS晶体管以及在漏极和源极区中具有硅/锗材料的PMOS晶体管
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。