机译:掺杂有$ delta $的InGaP / InGaAs pHEMT,具有不同的掺杂曲线,可改善器件的线性度
$delta$ -doped; Channel doping; InGaP/InGaAs pseudomorphic high-electron-mobility transistor (pHEMT); device linearity; third-order intercept point (IP3); third-order intermodulation distortion (IM3);
机译:具有骆驼状栅极结构的新型InGaP / InGaAs / GaAs双/ splδ/掺杂pHEMT
机译:使用/ spl delta /掺杂肖特基层降低InGaP / InGaAs掺杂沟道HFET中的源极和漏极电阻
机译:在不同温度下PHEMT Algaas / InGaAs / GaAs量子井的电子传输:单侧Delta-Si掺杂的影响
机译:InGaP / InGaAs / GaAs骆驼栅单/ spl delta /掺杂pHEMT的性能
机译:利用金属有机分子束外延生长和表征高速掺C的基极InP / InGaAs异质结双极晶体管。
机译:具有附加调制掺杂的δ掺杂量子阱系统
机译:在积极扩展的pHEmT中进行多次delta掺杂
机译:基于δ-si掺杂InGaas量子阱的可见光红外光电探测器