机译:第一部分:深入了解STI型漏极扩展pMOS器件的两阶段击穿特性
Department of Electrical EngineeringCentre of Excellence in Nanoelectronics, IIT Bombay, Mumbai, India;
Avalanche breakdown; Kirk effect; drain-extended MOSFET (DeMOS); input-output (I/O); input???output (I/O); parasitic bipolar triggering; safe operating area (SOA); shallow-trench isolation (STI); two-stage breakdown; two-stage breakdown.;
机译:第二部分:用于改善STI型DePMOS器件的击穿和混合信号性能的阱掺杂分布图设计
机译:p多晶硅栅极掺杂对PMOS器件介电击穿的影响
机译:纳米级漏极扩展NMOS器件ESD行为的真知灼见-第一部分:寄生双极型晶体管的导通行为
机译:先进的esd保护设备中的第二次击穿(It / sub 2 /)现象的新物理洞察力和建模
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:用于柔性电子设备应用的双夹梁开关上弯曲特性的多物理模型
机译:使用漏极扩展MOS器件的高电源电压带隙参考电路