机译:多子带集成蒙特卡罗仿真器中的带间隧道现象的实现:在硅TFET中的应用
Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain;
Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain;
Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain;
Nanoelectronic Devices Laboratory, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, Lausanne, Switzerland;
Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain;
Nanoelectronic Devices Laboratory, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, Lausanne, Switzerland;
Tunneling; TFETs; Mathematical model; Monte Carlo methods; MOSFET; Trajectory; Charge carrier processes;
机译:超小型FDSOI,DGSOI和FinFET器件中隧道泄漏机理的多子带集成蒙特卡罗分析
机译:FDSOI,DGSOI和FinFET器件中的源-漏隧穿分析,通过多子带集成Monte Carlo进行
机译:硅器件中带间隧穿的蒙特卡罗模拟
机译:基于硅的TFET中的多子带集成Monte Carlo研究
机译:闪锌矿相氮化镓,立方相碳化硅和砷化镓MESFET的分析,包括全频带Monte Carlo模拟器
机译:连续分数组分的有效应用蒙特卡罗反应乐团
机译:闪烁的FDSOI,DGSOI和FINFET器件中隧道渗漏机制的多相带集合蒙特卡罗分析
机译:用于X射线计算机断层扫描散射的快速蒙特卡罗模拟器(snelle monte Carlo simulator voor Verstrooiing van Roentgenstraling bij Computer Tomografie)