Georgia Institute of Technology;
机译:使用全频带蒙特卡罗模拟器比较Zincblende相GaN,Cubic相SiC和GaAs MESFET
机译:MOCVD生长的硅上砷化镓的高性能MESFET
机译:对硅,氮化镓,锗和砷化铟镓光电二极管的响应度的空间均匀性
机译:在低温温度下光在光下的砷化镓,镓六苯并碳化碳样品的内在特性
机译:蒙特卡洛研究大块硅,砷化镓,氮化镓及其相关器件结构中的空穴传输
机译:通过氮化硅衬底上电化学沉积的氧化镓的氮化合成氮化镓纳米结构
机译:富含镓的砷化镓,磷化镓和氮化镓表面的非均相有机反应。
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。