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吕云安; 刘玉兰; 杨伟; 何梅芬;
砷化镓; MESFET; 材料; 制备; 汽相外延;
机译:器件兼容的砷化镓在具有薄(〜80 nm)Si_(1-x)Ge_x台阶缓变缓冲层的硅衬底上的分子束外延生长,用于高κⅢ-Ⅴ型金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:静电放电对基于砷化镓MESFET的器件中电超应力敏感性的影响
机译:砷化镓E-和D-MESFET器件的噪声特性在超低温下以极低的漏极电流工作
机译:用于远红外光电导体的超纯镓砷化砷化镓生长的液相外延离心机
机译:金属有机化学气相沉积法制备的应变层砷化铟镓-砷化镓-砷化铝镓光子器件。
机译:出版商更正:氢化物气相外延生长砷化镓太阳能电池的速度超过300 µm h-1
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:III-V半导体材料制备技术的研究与开发及这些材料质量评价方法 - 砷化镓晶体 - 砷化镓坩埚拉制
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:砷化镓基质汽相沉积砷化镓磷的方法
机译:外延面膜富集砷化镓的半衰期呈现缓冲层和活性层。在单晶砷化镓亚大街上,镓镓-内酰胺去除外延的方法。
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