退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
杨国洪; 范恒; 王碧娟; 姚林声; 雷少莉; 夏冠群;
中国科学院上海冶金研究所;
电路; 模拟; 砷化镓; MESFET器件;
机译:静电放电对基于砷化镓MESFET的器件中电超应力敏感性的影响
机译:砷化镓E-和D-MESFET器件的噪声特性在超低温下以极低的漏极电流工作
机译:宽带砷化镓MESFET控制和开关电路中的失真
机译:硅基砷化镓衬底上制造的数字砷化镓E / D MESFET电路的性能
机译:新型半导体器件和集成电路(砷化镓MESFET,IC模拟,MODFET,薄膜晶体管,非晶硅)的分析和设计。
机译:掺Si的双面非合金欧姆接触等离子体电子器件的砷化镓
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模
机译:使用砷化镓台面(GaAs MESFET)的直流电流补偿电路
机译:光学半导体器件,特别是用于宽带光通信的光电集成电路,在砷化镓衬底和氮化镓基发光接收层之间包括氧化锌膜。
机译:使用砷化镓的场效应晶体管大信号等效电路模型的参数创建方法,使用参数创建方法的模拟方法,通过计算机执行的方法的程序以及通过程序记录的记录介质
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。