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DC current compensation circuit using gallium arsenide mesas (GaAs MESFET)

机译：使用砷化镓台面（GaAs MESFET）的直流电流补偿电路

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摘要

The present invention uses a gallium arsenide mesa (GaAs MESFET) compensating circuit to reduce the area of a circuit compared to conventional circuits, A DC current compensation circuit using a DC / DC modulation / demultiplexing scheme.

机译：与常规电路相比，本发明使用砷化镓台面（GaAs MESFET）补偿电路来减小电路面积，一种使用DC / DC调制/解复用方案的DC电流补偿电路。

著录项

公开/公告号KR19980045886A

专利类型
公开/公告日1998-09-15

原文格式PDF
申请/专利权人 양승택;
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申请/专利号KR19960064131
发明设计人 김충환;문재경;김해천;이재진;편광의;
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申请日1996-12-11
分类号H01L29/778;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 02:48:07

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