机译:翅片纳米纳米阵列栅极凹陷AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
Yuan Ze Univ Dept Elect Engn Taoyuan 320 Taiwan|Natl Cheng Kung Univ Inst Microelect Dept Elect Engn Tainan 701 Taiwan;
Natl Cheng Kung Univ Inst Microelect Dept Elect Engn Tainan 701 Taiwan;
AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors (MOSHEMTs); electron-beam lithography system; fin-gate nanochannel array; gate-recessed structure; photoelectrochemical (PEC)etching and oxidation methods;
机译:栅嵌入式AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中的光电化学功能
机译:具有高击穿电压1400 V的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管和兼容金属氧化物半导体的无金工艺
机译:增强模式的基于GaN的多亚微米沟道阵列栅嵌入式鳍状金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:在8英寸硅(111)基板上生长的凹陷 - 栅极AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的稀释KOH钝化性能改进
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:具有极化P(VDF-TrFE)铁电聚合物门控的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:门嵌入式AlGaN / GaN Fin-Nanichannel阵列MoShemts中的缩放效果