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公开/公告号CN104526929B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海理工大学;
申请/专利号CN201510010087.5
发明设计人 万新军;杨波;庄松林;
申请日2015-01-09
分类号B29C33/38(20060101);B23P15/24(20060101);G02B3/00(20060101);B29L11/00(20060101);
代理机构31281 上海瑞泽律师事务所;
代理人宁芝华
地址 200093 上海市杨浦区军工路516号
入库时间 2022-08-23 09:50:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-04
授权
2015-05-20
实质审查的生效 IPC(主分类):B29C 33/38 申请日:20150109
实质审查的生效
2015-04-22
公开
机译: 晶圆级透镜阵列的形成方法,形成类型,晶圆级透镜阵列以及具有该晶圆级透镜阵列的晶圆级透镜阵列
机译: 晶圆级透镜阵列的制造方法,晶圆级透镜阵列,透镜模块和成像单元
机译: 蛾眼转移模具,蛾眼转移模具的制造方法以及蛾眼结构的转移方法
机译:使用卷到卷的UV-纳米压印光刻技术和阳极氧化铝模具制作蛾眼纳米结构阵列
机译:使用热压印工艺制备具有蛾眼抗反射纳米结构的微透镜阵列
机译:UV临近印刷法制备带有凹陷的凹陷微透镜阵列。
机译:通过使用化学发泡工艺(CFP)和热成型工艺(HFP)结合使用玻璃模具制造带有垫片的低成本晶圆级微透镜阵列
机译:晶圆上电互连和使用晶圆硅刻蚀的微型悬臂阵列。
机译:具有蛾眼减反射纳米结构的晶圆级微透镜阵列的设计与制作
机译:多尺度结构晶圆级微透镜阵列模具的制造
机译:用于纳米电子和纳米光子应用的高纵横比si纳米柱阵列局部受限沉积si纳米晶的研究