机译:栅嵌入式AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中的光电化学功能
Dept. of Electr. Eng., Nat. Cheng Kung Univ., Tainan, Taiwan;
off-state breakdown voltage; AlGaN/GaN metal–oxide–semiconductor high-electron-mobility transistors (MOS-HEMTs); gate recess; photoelectrochemical (PEC) method;
机译:翅片纳米纳米阵列栅极凹陷AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:具有高击穿电压1400 V的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管和兼容金属氧化物半导体的无金工艺
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:在8英寸硅(111)基板上生长的凹陷 - 栅极AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的稀释KOH钝化性能改进
机译:辐照损伤对GaN基金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管和β-GA2O3的影响
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积