机译:具有功率-法则接触电阻和迁移率的交错式OFET的紧凑模型和参数提取方法
Univ Paris Saclay Lab Phys Interfaces & Couches Minces Ecole Polytech CNRS UMR 7647 F-91128 Palaiseau France|POSTECH Pohang Si 37673 South Korea;
Univ Paris Saclay Lab Phys Interfaces & Couches Minces Ecole Polytech CNRS UMR 7647 F-91128 Palaiseau France|Silicon Display Co Ltd Yongin 17084 South Korea;
Itron France Issy Technol Ctr F-92448 Issy Les Moulineaux France;
Univ Paris Saclay Lab Phys Interfaces & Couches Minces Ecole Polytech CNRS UMR 7647 F-91128 Palaiseau France;
OFETs; Logic gates; Biological system modeling; Parameter extraction; Contact resistance; Conductivity; Contact resistance; organic field-effect transistors (OFETs); parameter extraction method;
机译:基于与载流子浓度有关的迁移率,在交错的有机场效应晶体管中对接触电阻的栅极偏置依赖性进行建模
机译:MOSFET串联电阻和迁移率退化模型参数的DC提取方法综述
机译:包含接触效应的有机TFT紧凑模型的进化参数提取
机译:OFET紧凑模型的混合人工蜂群算法参数提取方法
机译:用于标准交错束家族的创新翅片管,导致在能源领域的部署优势的背景下进行空气侧热量和压降电阻的显着降低
机译:代谢途径中的结构可识别性:基于幂律形式主义的模型中的参数估计。
机译:用于CMOS老化紧凑型型号的参数提取的智能噪声和RTN脱模方法
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。