氮化镓高电子迁移率晶体管小信号电路模型参数提取方法

摘要

本发明公开一种氮化镓高电子迁移率晶体管小信号电路模型参数提取方法，主要解决现有技术提取寄生电感会由于正向大栅压对器件造成损伤、提取寄生电容时需要人工调谐和优化参数不符合物理结构的问题。其技术方案是基于传统提取寄生电容的基础，在低频冷偏截止态等效电路中引入寄生电感，利用线性回归方法同时提取出寄生总电容和寄生电感，结合实际物理结构优化搜索出寄生电容，并结合未偏置时测试的散射参数和正常工作时的散射参数，分别提取出寄生电阻和本征参数。本发明在测试过程中对器件没有损伤，且不需要人工调谐，提取参数效率较高，适用频段宽。本发明得到的模型参数不仅能直接用于建立器件的小信号等效电路模型，也能用于小信号电路设计。