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机译:基于与载流子浓度有关的迁移率,在交错的有机场效应晶体管中对接触电阻的栅极偏置依赖性进行建模
Department of Electrical Engineering, University of Isfahan, Isfahan, Iran;
机译:ln_2O_3纳米线场效应晶体管的接触电阻和迁移率的沟道长度和栅极偏置依赖性
机译:在交错的多晶有机薄膜晶体管中模拟接触电阻的栅极偏置依赖性
机译:顶部栅极交错的有机薄膜晶体管的接触长度相关接触电阻
机译:有机薄膜晶体管的分析建模与参数提取:接触电阻,掺杂浓度和场依赖性的影响
机译:选择性接触双沟道高电子迁移率场效应晶体管的制作与分析
机译:由于有机场效应晶体管中的栅极接触而导致的迁移率高估
机译:与微观弹性单晶场效应晶体管的接触电阻,栅极偏置依赖性场效应迁移率和短信效应的详细表征