公开/公告号CN113257899A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-13
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;
申请/专利号CN202110115134.8
申请日2021-01-28
分类号H01L29/423(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);H01L21/28(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人刘书航;周学斌
地址 奥地利菲拉赫西门子大街2号
入库时间 2023-06-19 12:13:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/423 专利申请号:2021101151348 申请日:20210128
实质审查的生效
机译: 用作晶体管中的堆叠多栅极结构的半导体组件包括带有掺杂阱的半导体衬底,该掺杂阱是具有电介质层和导电层的交替层序列的接触区
机译: 具有栅极结构掺杂半导体区域的高电子迁移率晶体管
机译: 半导体器件包括在沟槽中具有栅极并且在沟槽之下具有掺杂区以修改阈值电压的晶体管