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机译:纳米级MS和MIS接触中因工艺变化引起的接触电阻率变异性
Indian Inst Technol Dept Elect Engn Mumbai 400076 Maharashtra India;
Fermi-level pinning (FLP); Ge; MIS contact; random dopant fluctuation (RDF); Si; specific contact resistivity; variability;
机译:具有超低比接触电阻率的纳米级金属-InGaAs触点:改进的界面质量和萃取方法
机译:掺杂的硅纳米粒子墨水和自旋掺杂剂对激光处理的局部接触的复合性质和接触电阻的表征
机译:纳米YBCO-金属触点中的电阻开关效应的反极性和强烈的不均匀性
机译:由于纳米级接触中的原子变化而引起的接触电阻率的统计极限
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:纳米级并联电触头的二维隧穿电阻传输线模型
机译:金属-绝缘体-半导体触点和金属-半导体触点的接触电阻率
机译:低温电阻欧姆接触中等掺杂的n-Gaas,低温处理