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机译:p通道闪存的新编程和擦除方案
机译:具有SiGe埋入通道的P沟道电荷陷阱闪存设备的增强的编程和擦除速度
机译:动态Vpass控制的编程方案和优化的擦除Vth控制,用于MLC NAND闪存中的高程序抑制
机译:具有n通道选择晶体管的p通道DINOR闪存的新型自限制高速编程方案
机译:使用TCAD优化两位闪存P沟道单元结构的编程和擦除特性
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:用于减少Z干扰的垂直NAND闪存的新型程序方案
机译:多层石墨烯纳米带闪存:分析 编程和擦除操作
机译:电子束可编程128K位晶圆级EpROm(可擦除可编程只读存储器)。