首页> 美国政府科技报告 >Electron-Beam Programmable 128K-Bit Wafer-Scale EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory).

【24h】

Electron-Beam Programmable 128K-Bit Wafer-Scale EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory).

机译：电子束可编程128K位晶圆级EpROm（可擦除可编程只读存储器）。

获取原文

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

No abstract available.

著录项

作者
Shaver, D. C.; Mountain, R. W.; Silversmith, D. J.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1983
页码 1-4
总页数 4
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Read only memories; Wafers; Electron beams; Modules(Electronics); Integrated circuits; Nonvolatile memories; Computer programming; Reprints; EPROM(Erasable Programmable Read Only Memories);

机译：只读存储器;晶圆;电子束;模块（电子）;集成电路;非易失性存储器;计算机编程;重印; EpROm（可擦除可编程只读存储器）;
入库时间 2022-08-29 11:31:36

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. All-optical erasable programmable read-only memory (EPROM) based on LiNbO/sub 3/ channel waveguides [J] . Zang D.Y., Ristic V.M. IEEE Photonics Technology Letters . 1989,第10期

机译：基于LiNbO / sub 3 /通道波导的全光可擦可编程只读存储器（EPROM）
2. A STUDY OF ERASING IN PROGRAMMABLE ELECTRICALLY ERASABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) WITH VERY THIN OXIDE TUNNEL [J] . A. M. BOUNAB, M. BENOUAKTA, S. LATRECHE The African Physical Review . 2008,第2008期

机译：超薄氧化物隧道可编程电可擦只读存储器（EEPROM）擦除的研究
3. A STUDY OF ERASING IN PROGRAMMABLE ELECTRICALLY ERASABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) WITH VERY THIN OXIDE TUNNEL [J] . The African Review of Physics . 2008,第2008期

机译：超薄氧化物隧道可编程电可擦只读存储器（EEPROM）擦除的研究
4. Using X-ray radiation to erase information from a CMOS programmable read-only memory [C] . Kotov, Yu.A., Sokovnin, High-Power Particle Beams, 1998. BEAMS '98. Proceedings of the 12th International Conference on . 1998

机译：使用X射线辐射从CMOS可编程只读存储器中擦除信息
5. Hot-carrier effects in flash erasable programmable read-only memory devices. [D] . San, Kemal Tamer. 1994

机译：闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
6. Impact of program/erase operation on the performances of oxide-based resistive switching memory [O] . Guoming Wang, Shibing Long, Zhaoan Yu, 2015

机译：编程/擦除操作对基于氧化物的电阻式开关存储器性能的影响
7. High Density and Low Voltage Programmable Scaled SONOS Nonvolatile Memory for the Byte and Flash-Erased Type EEPROMs [O] . 2002

机译：高密度和低压可编程缩放Sonos非易失性存储器，用于字节和闪存型EEPROM
8. Electron-Beam Programmable 128K-Bit Wafer-Scale EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) [R] . Shaver, D. C., Mountain, R. W., Silversmith, D. J. 1983

机译：电子束可编程128K位晶圆级EpROm（可擦除可编程只读存储器）

Electron-Beam Programmable 128K-Bit Wafer-Scale EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory).

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅