Data models; Films; Logic gates; Optimization; Programming; Silicon compounds; Tunneling; Flash Memory; P-Channel; SONOS; TCAD; Two-Bit;
机译:具有SiGe埋入通道的P沟道电荷陷阱闪存设备的增强的编程和擦除速度
机译:p通道闪存的新编程和擦除方案
机译:隐性通道结构上具有间隔型存储节点的2位/单元NOR型氧化硅-氮化物-氧化硅-硅闪存存储单元的带间热空穴擦除特性
机译:用TCAD进行两位闪存P沟道单元结构的程序和擦除特性的优化
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:在针对强化胰岛素治疗的糖尿病患者快速血糖监测设备的结构化教育和治疗计划的评估研究中使FLASH成为干预组和常规治疗组之间的区别:一项随机对照试验的研究方案
机译:优化的闪存单元编程
机译:电子束可编程128K位晶圆级EpROm(可擦除可编程只读存储器)。