闪存单元、闪存单元的编程方法及闪存单元的擦除方法

摘要

本发明提供了一种闪存单元、闪存单元的编程方法及闪存单元的擦除方法，所述闪存单元包括形成有N阱的P型衬底和所述N阱上的栅极结构，所述栅极结构包括第一存储位和第二存储位，所述第一存储位和所述第二存储位共享一个字线栅，本发明提供的闪存单元编程功耗低，读取速度快，存储的状态更多。通过在闪存单元的控制栅施加正电压，在位线上施加负电压，从而达到编程的操作，本发明提供的闪存单元的编程方法可以选择编程的存储位，也可以对两个存储位同时进行编程。通过在字线栅上施加正电压，在两个存储位的控制栅上施加负电压，快速擦除信息，所述字线栅的结构产生增强型电子隧穿效应，使用较低的电压就可实现快速擦除的目的。