大容量闪存正加速开发64G技术及新单元叠层方法出台

摘要

“基于30nm级工艺的64Gb闪存有望在近期内实现。而且，现有的单元结构有可能不加修改地发展到20nm级。之后，只需要将存储单元以三维形式叠加起来，就可以增大容量。”一家NAND闪存主要生产厂商的制造工程师表示。