海力士成功开发出采用3重单元技术的32GbitNAND型闪存

摘要

韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）于2008年6月3日宣布成功开发出采用3重单元（3bit／单元）技术的32GbitNAND型闪存。此次开发出的产品与原来的多层单元（MLS）技术相比，芯片面积能减少30％以上，可大大节约成本。该公司将以此新技术为基础，把仅限于量产16Gbit产品的48nm工艺扩大至32Gbit产品领域。该公司计划从2008年10月开始量产。