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郑敏华; 韩国军;
广东工业大学信息工程学院 广东广州510006;
NAND闪存; 读写机制; 干扰噪声; 阈值电压分布; 相邻单元; BP译码算法; 误码率; 数据存储;
机译:通过针对高可靠性和低功耗企业固态硬盘(SSD)的铁电(Fe)-NAND闪存存储器的存储单元V-TH优化,改善了读取干扰,程序干扰和数据保留
机译:阈值电压变化取决于单个晶粒边界和垂直氧化硅-氮化物-氧化硅-硅NAND闪存中相邻单元中存储的电荷
机译:使用$ hbox {ZrO} _ {2} / hbox {Si} _ {3} hbox {N} _ {4} $双电荷存储层的多级单元闪存的耐用性可靠性
机译:用于多级单元(MLC)存储的拆分 - 页3D垂直门(VG)NAND闪存和优化编程算法的干扰和干扰机制研究
机译:3维闪存EPROM单元和存储器阵列以及3维全耗尽MOS晶体管
机译:使用通用图形处理单元(GPGPU)的现代NAND闪存的灵活混合BCH解码器
机译:利用嵌入式超小型PT纳米颗粒作为闪存器存储器单元中的电荷俘获层
机译:信号处理元件功能描述。第1部分。微程序控制单元,缓冲存储器和存储控制单元
机译:能够使用旁路路径来验证可靠性的闪存存储单元,以及使用相同路径来验证闪存存储单元可靠性的系统和方法
机译:存储器单元非易失性存储器装置及其控制方法,以提高低电源电压下的可靠性
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