机译:擦除存储器单元后,将闪存单元中的阈值电压收敛到闪存存储器中,并且闪存门阵列具有按相同方法控制电源的方法,即门电压和漏极电压用于聚合存储单元的阈值电压
公开/公告号JPH0855487A
专利类型
公开/公告日1996-02-27
原文格式PDF
申请/专利权人 ADVANCED MICRO DEVICDS INC;
申请/专利号JP19950165526
申请日1995-06-30
分类号G11C16/06;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 03:56:25