机译:通过SIMOX技术制造的绝缘体上SiGe衬底上的应变Si MOSFET的电子和空穴迁移率增强
机译:在绝缘体上锗化硅(SGOI)上制造的应变硅/应变硅锗异质结构p-MOSFET中的空穴迁移率增强
机译:无应变和应变Si MOSFET中表面粗糙度散射限制电子和空穴迁移率的界面粗糙度新表征方案
机译:在化学机械抛光的SiGe衬底上制造的应变Si MOSFET的性能增强
机译:通过SIMOX技术在绝缘体上GeGe衬底上的高性能应变Si p-MOSFET
机译:拉伸硅:单轴和双轴应变产生过程,以及绝缘体上硅MOSFET的迁移率提高。
机译:肖特基CdTe二极管中电子和空穴的迁移率和寿命的测量
机译:具有邻近(1°)偏角的C(000-1)外延衬底上制作的4H-siC mOsFET的高反型沟道迁移率