机译:通过SIMOX技术制造的绝缘体上SiGe衬底上的应变Si MOSFET的电子和空穴迁移率增强
机译:在绝缘体上锗化硅(SGOI)上制造的应变硅/应变硅锗异质结构p-MOSFET中的空穴迁移率增强
机译:在化学机械抛光的SiGe衬底上制造的应变Si MOSFET的性能增强
机译:SiGe-On绝缘子基板上的高性能应变-SI P-MOSFET由SIMOX技术制造
机译:在透明大面积塑料基板上制造的非晶态水合硅薄膜晶体管的极低温材料和自对准技术
机译:使用红外纳秒激光技术完全制造的用于神经应用的柔性基板上的石墨碳电极
机译:使用0.25μmCmOs工艺在siGe虚拟基板上制造压缩应变的埋入沟道$ si_ {0.7} $ Ge $ _ {0.3} $ p-mOsFET