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廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明;
厦门大学物理系,福建,厦门,361005;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验窒,北京,361005;
低维无机非金属材料; 量子阱; 光致发光谱; 弛豫缓冲层;
机译:沉积在Si0.5Ge0.5伪衬底上的应变补偿Si / Si1-xGex多量子阱和级联结构中的传输和吸收
机译:Si0.5Ge0.5伪衬底上的应变补偿Si / SiGe量子阱和量子级联
机译:Ge虚拟衬底上的拉伸应变Si 0.13 Ge 0.87 / Ge多量子阱的室温电致发光
机译:SiGe衬底上的UHV / CVD拉伸应变Si型Ⅱ型量子阱中的光致发光
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:Ge虚拟衬底上的拉伸应变Si0.13Ge0.87 / Ge多量子阱的室温电致发光
机译:在Si_(0.75)Ge_(0.25)虚拟衬底上生长的应变补偿Si / Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱的发光
机译:玻璃和硅衬底上剥离制备alGaas / INGaas单应变量子阱结构的特性
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:具有应变补偿的杂化量子阱结构的半导体发光器件,该结构生长在ZnO基质上,并且制造该器件的方法
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
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