Institute for Microstructural Sciences, National Research Council of Canada, Ottawa, ON K1A 0R6, Canada;
机译:使用UHV-CVD的Sigec合金晶体外延生长
机译:使用UHV-CVD的Sigec合金晶体外延生长
机译:通过UHV / CVD系统生长的II型SiGe / Si MQWS(多量子阱)和自组织的Ge / Si岛
机译:UHV / CVD拉伸的光致发光,Ⅱ型量子晶体井在散装水晶SiGe基材上
机译:在4H-碳化硅PVT生长的块状晶体,CVD生长的外延层和器件中的缺陷研究。
机译:Ge虚拟衬底上的拉伸应变Si0.13Ge0.87 / Ge多量子阱的室温电致发光
机译:在块状单晶SiGe和Si衬底上的UHV / CVD SiGe外延层的生长和表征