机译:氢注入的Si_(0.75)Ge_(0.25)/ B掺杂的Si_(0.70)Ge_(0.30)/ Si异质结构中Si_(0.75)Ge_(0.25)的应变弛豫
机译:通过使用各种H_(2)压力还原Si_(0.75)Ge_(0.25)O_(2)/ Si_(0.75)Ge_(0.25)形成的纳米晶Ge的纳米结构和红外光致发光
机译:在Si_(0.6)Ge_(0.4)和Si_(0.5)Ge_(0.5)虚拟衬底上生长的拉伸应变Si层:Ⅱ。应变和缺陷
机译:多个时段应变补偿Si / Si_(0.2)Ge_(0.8)量子阱和通过MBE种植的级联结构在弛豫Si_(0.5)Ge_(0.5)缓冲层上
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:第一性原理在Si / Si_(1_x)Ge_(x)异质结构和Si_(1-x)Ge_(x)合金中与电子有关的热电特性
机译:在预图案化和非图案化Gaas(100)衬底上生长的(0.25)Ga(0.75)as / alas基谐振隧道二极管