机译:使用与方向有关的湿法刻蚀制造的理想矩形截面Si-Fin沟道双栅MOSFET
Nat. Inst. of Adv. Ind. Sci. & Technol., Japan;
silicon-on-insulator; MOSFET; etching; ideal rectangular cross-section; Si-Fin channel double-gate MOSFETs; orientation-dependent wet etching; FXMOSFETs; SOI; transconductance; almost-ideal S-slope; gate length; smooth 111-oriented sidewalls; 13 nm;
机译:取向依赖性湿法刻蚀制备具有(111)沟道表面的多鳍片型双栅双金属氧化物半导体场效应晶体管的有效载流子实验研究
机译:利用离子轰击延迟刻蚀工艺制造的P沟道垂直双栅极MOSFET
机译:通过取向依赖的湿法刻蚀制造具有(111)沟道表面的Multi-FinFET中的电子迁移率
机译:通过使用与方向相关的湿法刻蚀制造的超窄矩形截面Si-Fin沟道双栅MOSFET
机译:具有耦合器的平面波导太阳能聚光器,该耦合器由激光诱导的背面湿法刻蚀制成。
机译:通过顺序湿法蚀刻工艺制造不同几何截面的聚二甲基硅氧烷微流体通道的一步方法
机译:具有高移动通道的15nm栅极长度双栅极N-MOSFET的性能评估:III-V,GE和SI