双栅MOSFET’S的短沟道效应

摘要

双栅 MOS 场效应晶体管(DG-MOSF-ET’S)随沟道长度的缩短而阈值电压和击穿电压等相应的降低,即出现了所谓短沟道效应。本文就是对这种特性进行分析和推导。以使对 DG-MOSFET’S 有更进一步的认识,从而达到更广泛的应用。